SOI纳米波导的优化制备与弯曲损耗测试

作者：臧俊斌; 薛晨阳; 韦丽萍; 王景雪; 崔丹凤; 王永华; 仝晓刚

来源：传感技术学报, 2012, (11): 1498-1502.

• SOI
• 纳米光波导
• MEMS
• 粗糙度
• 弯曲损耗 silicon-on-insulator
• nanophotonic waveguide
• MEMS
• roughness
• bend loss

主要针对目前SOI(Silicon-on-insulator)纳米光波导结构弯曲损耗严重的问题,系统地进行了理论仿真分析,设计出最佳的纳米波导结构,并采用MEMS工艺对其进行加工制备与优化处理。后利用了SEM(扫描电子显微镜)、AFM(原子力显微镜)、透射谱功率法等研究手段精确测试了在高纯氮退火和BOE腐蚀后处理不变的情况下,不同温度热氧化退火处理下的波导侧壁粗糙度和对应的弯曲损耗,结果表明:波导的侧壁粗糙度随退火温度的变化近似呈二次抛物线变化趋势,在900℃附近达到最低值2.1 nm,对应的半径15μm的环形波导的弯曲损耗为(0.0109±0.001)dB/turn,其损耗值与理论分析结果一...

• 出版日期2012
• 单位中北大学