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摘要
为了实现简易可控生长Cu掺杂TiO_2纳米管并有效拓展其吸收带边,通过电化学阳极氧化,在Cu质量百分含量为5%的Cu_5Ti_(95)合金基体上生长出高度有序Cu掺杂TiO_2纳米管前驱体,并在O_2气氛450℃退火晶化2h。并对纳米管的形貌、晶型结构和光谱吸收等性能进行表征。结果表明:Cu-Ti-O纳米管阵列的管长、管径和管壁厚度分别为5.8μm、150nm和10~15nm,经O_2气氛450℃退火晶化2h后,纳米管底部发生锐钛矿向金红石相转变,Cu-Ti-O纳米管阵列吸收带边红移至450nm,为后续光电化学性能测试提供了重要的实验依据。
