本文是负电子亲和势光电阴极发现50周年的纪念文章,简要回顾了过去的成绩,现在的困难及今后的展望。经过近30年的努力,我国MOCVD生长的反射式Ga As光电阴极的积分灵敏度已达到3516?A/lm,目前存在的困难是光电阴极寿命问题,寿命问题解决了,高性能微光像增强器以及EBAPS数字器件可以缩短与西方的差距。如果高灵敏度长寿命的Ga As:O-Cs光电阴极真正取代了目前大科学装置中的铜阴极,基于我国大科学装置的基础研究才会迎来真正的科学春天。
科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
