低温等离子体气相沉积氮化镓薄膜的光谱特性研究

作者：符斯列; 陈俊芳; 郭超峰

来源：信息记录材料, 2010, (03): 28-31.

DOI：10.16009/j.cnki.cn13-1295/tq.2010.03.009

• 低温等离子体
• 氮化镓薄膜
• PL光谱
• FTIR光谱 low-temperature plasma
• GaN film
• PL
• FTIR

采用低温等离子体增强化学气相沉积工艺,以氮气N2和三甲基镓(TMG)为反应气源,在蓝宝石衬底-αAl2O3的(0001)面上低温生长了GaN薄膜。薄膜光致发光光谱(PL)出现两个发光带,一个是中心位置位于364nm的锐而强的带边峰。另一个是中心波长在550nm(2.2eV),范围在480~700nm的强而宽的黄光发光带。傅立叶红外光谱(FTIR)观察到GaN的A1(LO)的下沿峰和E1(TO)峰,说明这是六方结构的GaN薄膜。

• 出版日期2010
• 单位华南师范大学