增强型InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT栅退火工艺(英文)

作者：黎明; 张海英; 徐静波; 李潇; 刘亮; 付晓君

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2008, (08): 1487-1490.

• 增强型InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT
• 退火
• 阈值电压
• 环形振荡器 enhancement-mode
• InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT
• anneal
• threshold voltage
• ring oscillator

针对InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT器件,进行了Ti/Pt/Au和Pt/Ti/Pt/Au两种栅金属结构的退火实验,通过实验研究比较,得到了更适用于增强型器件的退火工艺,利用Ti/Pt/Au结构,在320℃退火40min,使器件阈值电压正向移动大约200mV,从而成功制作了高成品率的稳定一致的增强型器件,保证了增强型器件阈值电压在零以上.

• 出版日期2008
• 单位中国科学院微电子研究所