低功耗CMOS电压基准源的设计

作者：郭丽芳; 姚若河; 李文冠

来源：现代电子技术, 2008, (12): 27-30.

DOI：10.16652/j.issn.1004-373x.2008.12.016

• 电压基准源
• 低功耗
• CMOS
• POLY bandgap voltage reference
• low power
• CMOS
• POLY

给出一低功耗、低温度系数的电压基准源电路的设计。其特点是利用工作在弱反型区晶体管的特性,该电压基准源采用CSMC 0.5μm,两层POLY,一层金属的CMOS工艺实现,芯片面积为0.036 75 mm2。测试结果表明:其最大工作电流不超过380 nA;在2.5~6 V工作电压下,线性调整率为0.025%;4 V输入电压;20~100℃范围内,平均温度系数为64 ppm/℃。以更小的面积,更低的功耗实现了电压基准源的性能。

• 出版日期2008
• 单位华南理工大学