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摘要
运用光束传播法对硅交叉波导全内反射光开关中的光学效应进行了详细分析。结果表明：１）光学表面衰减波和泄漏波所引发的光遂道效应对开关特性有重要影响；２）反射端光功率的相对大小与反射区界面位置密切相关，其起因是古斯－汉欣（Ｇｏｏｓ－Ｈａｅｎｓｃｈｅｎ）位移；３）合理考虑这些因素的影响可以大大降低器件对折射率变化的要求。
- 出版日期1995
- 单位西安交通大学; 中国科学院半导体研究所
运用光束传播法对硅交叉波导全内反射光开关中的光学效应进行了详细分析。结果表明：１）光学表面衰减波和泄漏波所引发的光遂道效应对开关特性有重要影响；２）反射端光功率的相对大小与反射区界面位置密切相关，其起因是古斯－汉欣（Ｇｏｏｓ－Ｈａｅｎｓｃｈｅｎ）位移；３）合理考虑这些因素的影响可以大大降低器件对折射率变化的要求。
