低压高温退火对Ag掺杂ZnO薄膜性质的影响

作者：彭福川; 吕佩伟; 林林; 林丽梅; 瞿燕; 赖发春

来源：光电子-激光, 2011, (04): 545-549.

DOI：10.16136/j.joel.2011.04.007

• Ag掺ZnO(ZnO:Ag)薄膜
• 电子束蒸发
• 退火
• 光致发光(PL) Ag doped ZnO(ZnO:Ag) film
• E-beam evaporation
• annealing
• photoluminescence(PL)

采用电子束蒸发在n-Si(100)衬底上沉积Ag掺ZnO(ZnO:Ag)薄膜,随后在200 Pa的O2气氛下分别在500、600、700和800℃退火4 h。用X射线衍射(XRD)仪、荧光光谱仪以及Van der Pauw方法测量ZnO:Ag薄膜的结构和光电学性质。结果表明,ZnO:Ag薄膜为多晶结构,且随着退火温度的升高,样品的结晶性能不断提高,晶粒尺寸从500℃的12.37 nm增加到800℃的32.36 nm;光致发光(PL)谱的紫外发射峰随着退火温度的增加向短波方向移动;薄膜的载流子浓度随退火温度升高而单调增加,电阻率则降低;迁移率的变化较为复杂,500℃退火的样品迁移率达到最大值58...

• 出版日期2011
• 单位福建师范大学