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摘要
采用传统固相反应法合成了Ti1-xSnxO2(0≤x≤0.28)陶瓷,并且研究了其微观结构与微波介电性能之间的关系。实验结果表明,锡离子的引入并不会改变其晶体结构。然而,随着锡离子掺杂量的增加,陶瓷的品质因数可以得到有效的提升。由于高温下二氧化锡易挥发,当掺入过量锡离子后,陶瓷内部会产生大量气孔,反而降低了其品质因数。当锡离子掺杂量x=0.16,烧结温度为1375℃时,陶瓷得到了较好的介电性能:εr=88.4,Q·f=20777 GHz,τf=430.2×10-6℃-1。
- 出版日期2021
- 单位电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室
