本发明公开了一种基于多孔氧化铝的一维拓扑光子晶体的制备方法,通过周期性变化的阳极氧化电压制备出一组层状对称的光子晶体结构,实现了一维光子晶体拓扑态的激发。通过改变阳极氧化电压的参数来实现在一定范围内对样品透射峰的位置进行调控。本发明避免大量使用毒性试剂、调控步骤复杂及调控所需时间过长等一系列缺点,绿色高效地实现氧化铝一维光子晶体拓扑态的激发。
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