碳化硅封装高功率半导体激光器散热性能研究

作者：倪羽茜; 井红旗; 孔金霞; 王翠鸾; 刘素平; 马骁宇

来源：中国激光, 2018, 45(01): 13-17.

• 激光器
• 半导体激光器
• 碳化硅
• 热阻
• 结构函数法
• 氮化铝

为研究基于碳化硅(SiC)陶瓷封装的高功率半导体激光器的散热性能,将其与常用的氮化铝(AlN)陶瓷进行对比,使用基于结构函数法的热阻仪分别测量SiC和AlN封装F-mount器件的热阻值,得到SiC器件的总热阻约为3.0℃·W-1,AlN的约为3.4℃·W-1,SiC器件的实测热阻值比AlN器件低14.7%,实验结果表明SiC过渡热沉具有较好的散热性能。实验进一步测试了两种过渡热沉封装器件的输出性能,在16A连续电流注入时,915nm波段的SiC器件单管输出功率为15.9 W,AlN为15 W,测试结果显示SiC封装的器件具有更高的功率输出水平。

• 出版日期2018
• 单位中国科学院半导体研究所; 中国科学院大学