一种量子点发光二极管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种量子点发光二极管及其制作方法，透明基底与电源的正极相连，阴极与电源的负极相连；制作步骤如下：清洗透明基底，旋涂空穴注入层，旋涂第二空穴传输层，旋涂量子点发光层，旋涂ZnMgO电子传输层，蒸镀Al电极。本发明提高了器件的发光效率，拓宽了辐射复合区域，使更多的量子点能有效工作这将大幅度提高器件的转换效率。从而形成了高效率QLED，延长了发光器件的使用寿命，并且极大的提高了能源利用率，使用的材料简单常见、生产难度小、成本较低、实用性强，为人们的生活提供和创造了极大的便利。

关键词