掺杂浓度对Y掺杂HfO2铁电薄膜的畴反转过程的调控作用

作者：袁秀芳

来源：科技风, 2019, (16): 183-184.

DOI：10.19392/j.cnki.1671-7341.201916167

• 铁电存储器
• HfO2铁电薄膜
• 掺杂
• 极化反转速度

铁电存储器是铁电材料的最重要的应用,而铁电存储器一个非常重要的指标就是其运行速度,影响其运行速度的主要是铁电材料内铁电畴的极化反转速度。HfO2铁电材料作为未来铁电存储器的理想材料,了解其畴反转过程非常重要。掺杂是使HfO2薄膜产生铁电性的一个非常重要的方法,掺杂浓度对HfO2铁电薄膜的铁电性能影响非常大,因此了解掺杂浓度对HfO2铁电薄膜的畴反转过程(即极化反转速度)的影响对我们更好利用HfO2铁电薄膜为基础的铁电存储器非常重要。在本文中,我们利用PLD制备了Y掺杂HfO2铁电薄膜(HYO),发现了Y掺杂浓度对HYO铁电薄膜的铁电性能的影响,我们在经过测试后也发现掺杂浓度可以影响HYO铁电薄膜畴反转过程,发现了随着掺杂浓度的增加HYO铁电薄膜中铁电畴的极化反转速度增加。

• 出版日期2019
• 单位电子科技大学