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摘要
本发明公开了一种超宽禁带垂直共源共栅结构的场效应晶体管及其制备方法,主要解决目前垂直型超宽禁带材料场效应晶体管没有有效的电学阻挡层,导致源漏间漏电的问题。其自下而上包括漏电极、超宽禁带材料衬底层、超宽禁带材料外延层、栅氧化层,栅氧化层上方设有栅电极,超宽禁带材料外延层内部外围设有SiO-2电流阻挡层,其上方通过ALD生长n型导电层,该n型导电层的上方设有源电极,在外延层的最外围设有与源电极相连接的环形肖特基二极管结构,该源电极和环形肖特基二极管联合组成共源共栅结构。本发明通过在器件中应用共源共栅结构,极大地提高了器件的可靠性,减小了器件的漏电,提升了器件的击穿电压,可用于制备大功率增强型氧化镓器件。
- 出版日期2023-3-6
- 单位西安电子科技大学
