利用改进的固相外延技术改善CMOS/SOS器件的特性

作者：刘忠立; 和致经; 于芳; 张永刚; 郁元桓

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 1999, (05): 82-85.

• 固相外延
• 漏电电流
• 电学参数
• CMOS/SOS
• 技术改善
• SOS

ＣＭＯＳ／ＳＯＳ器件同体硅ＣＭＯＳ器件相比，载流子迁移率较低，沟道漏电电流较大，它们主要是由异质外延硅膜缺陷，特别是靠近硅蓝宝石界面的硅膜缺陷造成的．本文描述一种改进的固相外延技术提高外延硅膜质量进而改善ＣＭＯＳ／ＳＯＳ器件特性的实验结果．

• 出版日期1999
• 单位中国科学院半导体研究所