科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
本文提出了一种离子束曝光技术。在感光胶中注入离子后放入一个特殊的汽相腐蚀系统中可以将离子注入区胶膜下面的二氧化硅腐蚀掉,而对非注入区胶膜下的二氧化硅则几乎不被腐蚀,从而可以获得制作器件和电路所需要的图形。文中介绍了对不同剂量,不同种类离子以及不同感光胶进行实验的情况和结果,从中找出了最佳的注入条件,并成功地刻蚀出小于1微米的线条。
- 出版日期1983
- 单位中国科学院半导体研究所
本文提出了一种离子束曝光技术。在感光胶中注入离子后放入一个特殊的汽相腐蚀系统中可以将离子注入区胶膜下面的二氧化硅腐蚀掉,而对非注入区胶膜下的二氧化硅则几乎不被腐蚀,从而可以获得制作器件和电路所需要的图形。文中介绍了对不同剂量,不同种类离子以及不同感光胶进行实验的情况和结果,从中找出了最佳的注入条件,并成功地刻蚀出小于1微米的线条。
