超薄硅基介质膜的制备技术与表征方法研究

作者：王久敏; 陈坤基; 宋捷; 余林蔚; 马忠元; 李伟; 黄信凡

来源：固体电子学研究与进展, 2008, (01): 149-153.

• 等离子体氧化
• 等离子体氮化
• 电容电压特性
• 超薄栅介质层 plasma oxidation
• plasma nitridation
• capacitance voltage characteristic
• ultra-thin dielectric film

在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中,采用等离子体氧化和等离子体氮化的方法,在单晶硅表面上成功制备厚度小于10nm的超薄硅基介质膜。通过X射线光电子谱(XPS)分析了超薄介质膜的化学结构,利用椭圆偏振仪测量了厚度以及折射率,同时对超薄介质膜进行了电容电压(C-V)和电流电压(I-V)特性的测量,研究其电学性质,探讨了C-V测量模式对超薄介质膜性质表征的影响,最后对两种介质膜的优缺点进行了比较。

• 出版日期2008
• 单位固体微结构物理国家重点实验室