MP-CVD中CH_4浓度对CH_4/H_2等离子体中基团的影响

作者：曹为; 李国伟; 吴建鹏; 马志斌

来源：光电子-激光, 2013, (05): 946-950.

DOI：10.16136/j.joel.2013.05.023

• 金刚石膜
• 等离子体
• 发射光谱法(OES) diamond film
• plasma
• optical emission spectroscopy(OES)

采用发射光谱法(OES)诊断了微波等离子体化学气相沉积(MP-CVD)制备金刚石膜过程中CH4浓度对CH4/H2等离子体中基团分布的影响,并利用拉曼光谱对不同CH4浓度下沉积的金刚石膜生长面进行表征。研究表明:CH4/H2等离子体中存在Hα、Hβ、Hγ、CH、C2基团,且各基团谱线强度随CH4浓度的增加而增强,其中C2基团的光谱强度显著增强;CH4/H2等离子体电子温度随CH4浓度的增加而上升;光谱空间诊断发现等离子体球中基团沿径向分布不均匀,随CH4浓度增加,C2和CH基团分布的均匀性显著变差;沉积速率测试表明,单纯增加CH4浓度不能有效提高金刚石膜的沉积速率;Raman光谱测试结果表明,低...

• 出版日期2013
• 单位武汉工程大学