低温低压氧化工艺对PERC单晶硅太阳电池性能影响的研究

作者：左克祥; 王安; 张晋阳; 钱金忠; 李永田; 杜东亚; 凡金星^*

来源：太阳能, 2022, (10): 68-73.

DOI：10.19911/j.1003-0417.tyn20210830.01

• PERC单晶硅太阳电池
• 低温低压
• 氧化工艺
• 钝化层
• 二氧化硅

以采用低温低压氧化工艺的PERC单晶硅太阳电池为研究对象，将在（600～700℃低温段、200mbar低压条件下制备的二氧化硅层作为PERC单晶硅太阳电池发射极表面的钝化层，并对该种太阳电池与未采用氧化工艺的PERC单晶硅太阳电池的性能进行测试及对比。测试结果显示：采用低温低压氧化工艺的PERC单晶硅太阳电池与未采用氧化工艺的PERC单晶硅太阳电池相比，光电转换效率可提高0.64%，方块电阻可增加8.3?/□，少子寿命可提高59.76μs，开路电压和短路电流可分别提高0.01080 V和0.13 A。由此可知，低温低压氧化工艺是提高PERC单晶硅太阳电池光电转换效率的有效途径。以期可为更高效PERC单晶硅太阳电池的制备提供参考。

• 出版日期2022
• 单位光伏科学与技术国家重点实验室