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A 2-D semi-analytical model of double-gate tunnel field-effect transistor
作者:Xu Huifang; Dai Yuehua
*
; Li Ning; Xu Jianbin
来源:
Chinese Journal of Semiconductors
, 2015, 36(5): 054002.
DOI:10.1088/1674-4926/36/5/054002
Circuit level design
Drain-source voltage
Eigenfunction expansion methods
Gate dielectric layers
Semi-analytical methods
Semi-analytical model
Tunnel field effect transistor
Tunneling field-effect transistors
出版日期
2015-5-1
单位
安徽大学
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