AlGaInAs/InP应变补偿多量子阱激光器

作者：朱天雄; 贾华宇; 李灯熬; 罗飚; 刘应军; 田彦婷

来源：激光技术, 2017, 41(05): 654-658.

• 激光器
• 量子阱结构
• 应变补偿
• AlGaInAs/InP

为了优化在长距离光纤通讯系统中采用的1.31μm波长的量子阱激光器,对AlGaInAs/InP材料的有源区应变补偿的量子阱激光器进行了设计研究。采用应变补偿的方法,根据克龙尼克-潘纳模型理论计算出量子阱的能带结构,设计出有源区由1.12%的压应变AlGaInAs阱层和0.4%的张应变AlGaInAs垒层构成。使用ALDS软件对所设计出的器件进行了建模仿真,对其进行了阈值分析和稳态分析。结果表明,在室温25℃下,该激光器具有9mA的低阈值电流和0.4W/A较高的单面斜率效率;在势垒层采用与势阱层应变相反的适当应变,可以降低生长过程中的平均应变量,保证有源区良好的生长,改善量子阱结构的能带结构,提高对载流子的限制能力,降低阈值电流,提高饱和功率,改善器件的性能。

• 出版日期2017
• 单位太原理工大学; 武汉电信器件有限公司