InN纳米线材料的特性和制备技术

作者：谢自力; 张荣; 修向前; 刘斌; 江若琏; 顾书林; 韩平; 赵红; 朱顺明; 施毅; 郑有炓

来源：纳米技术与精密工程, 2005, (04): 303-306.

DOI：10.3969/j.issn.1672-6030.2005.04.012

• InN
• 带隙
• 半导体材料
• 纳米线

InN材料具有着巨大的应用潜力,伴随着本身特性的揭秘,已成为最近两年内最热门的研究材料之一．介绍了InN纳米线的基本特性,讨论了InN纳米线材料的制备技术及其应用．利用CVD法研制的GaN纳米线的直径已达到40-80 nm;长度可以达到1 000 nm;InN纳米线具有InN的六方纤锌矿结构,其PL谱具有宽的发射峰,谱峰中心位于1．85 eV．

• 出版日期2005
• 单位南京大学