超宽禁带半导体Ga2O3微电子学研究进展(续)

作者：赵正平

来源：半导体技术, 2019, 44(02): 81-86.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.02.001

<正>4 β-Ga2O3场效应晶体管β-Ga2O3具有有意掺杂的浅能级施主(Si,Ge和Sn)和深能级补偿受主掺杂(Mg和Fe),其n型掺杂可控制材料导电率变化范围达15个数量级以上,即从高导电性(电阻率约为10-3 Ω·cm)到半绝缘性(电阻率约为1012 Ω·cm)。然而,正如其他氧化物半导体一样,不太可能实现p型掺杂,由于目前尚未找到浅受主掺杂杂质,其空穴的输运受其价带结构的限制而导致空穴的有效质量非常大,以及由于空穴本身的自陷阱效

• 出版日期2019
• 单位中国电子科技集团公司; 专用集成电路重点实验室