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一种具有PEDOT : PSS/石墨烯/GaAs结构的太阳电池及其制备方法

李国强; 曾庆浩; 邓曦; 莫由天
华南理工大学
华南理工大学

摘要

本发明属于太阳电池领域,公开了一种具有PEDOT : PSS/石墨烯/GaAs结构的太阳电池及其制备方法。本发明的太阳电池自下而上的结构依次包括:Au背面电极、GaAs衬底、石墨烯层、空穴传输层、减反射层、介电层和Ag正面电极,所述空穴传输层由PEDOT : PSS制备得到,该空穴传输层,利用PEDOT : PSS材料的高导电率特性和不对称的载流子选择性传输特点,将石墨烯层的空穴引到外电路,提高空穴在石墨烯层的迁移率,提升肖特基结太阳电池间的填充因子,从而显著提高肖特基结太阳电池的光电转换效率,相比于外延生长的空穴传输结构,能使肖特基结太阳电池具有更优良的电导性,且材料易得,成本低廉。

关键词

-

出版信息

专利状态
授权
专利国别
CHINA
专利有效期
2022-7-26 ~ 2042-7-26
专利号
ZL202210886270.1
公开号
CN115000215A

学科领域

材料科学与工程物理学

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