电沉积制备p型CuInSe_2薄膜

作者：杨军; 谢晓云; 邓薰南

来源：应用化学, 1988, (04): 58-60.

• p-CuInSe_2
• 电沉积
• 光电化学电池 p-CuInSe_2
• Electrodeposition
• Photoelectrochemical cell

<正> CuInSe_2化合物半导体的禁带宽度适中,是一种较理想的光电转换材料,有关它的研究已有报导.本文用电沉积法初步制得ρ-CuInSe_2薄膜,并观察到有光电效应.此法设备及工艺简单,具有发展前途. 用0.5cm~2钛片或镍片作基底.钛片在12ml HNO_3(比重1.4),3mlHF(40%),15ml蒸馏水组成的侵蚀液中在60—80℃下侵蚀4分钟;镍片在0.3NHNO_3中浸15分钟.皆用水洗净后待用. 将200ml所需浓度的InCl_3溶液分成两份,一份中加5滴NH_4OH和适量CuCI,另一份中

• 出版日期1988
• 单位上海科技大学