可见光对GaN基紫外焦平面读出电路的影响

作者：贾寒昕; 徐运华; 亢勇; 李向阳

来源：半导体光电, 2006, (04): 402-405.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2006.04.015

• 焦平面
• 读出电路
• 紫外
• 可见光
• GaN focal plane array
• readout circuit
• ultraviolet(UV)
• visible light
• GaN

GaN材料对可见光是透明的,而Si材料可以吸收可见光。在面阵GaN基紫外焦平面中,GaN探测器与Si读出电路通过铟柱倒焊互连,可见光可穿过GaN材料而被Si材料吸收。研究了可见光对于GaN基紫外焦平面读出电路影响的机制,并提出了通过在电路中覆盖铝层的方法减小可见光的影响,最后用实验证实了此方法对于抑制可见光干扰的影响的有效性。

• 出版日期2006
• 单位中国科学院研究生院; 传感技术国家重点实验室; 中国科学院上海技术物理研究所