分子束外延生长GaAs/Si异质结电学特性的研究

作者：周洁; 卢励吾; 韩志勇; 梁基本

来源：Acta Physica Sinica, 1991, (11): 1827-1832.

• GaAs/Si
• 热退火处理
• 快速热退火
• 分子束外延生长
• 汽相外延生长
• 异质结
• 半导体结
• 电学特性
• Si

利用样品Au-GaAs/p-Si的肖特基势垒二极管特性和深能级瞬态谱(DCTS),研究Si衬底上分子束外延生长的GaAs异质结的电学特性。I-V特性表明样品有大的漏电流存在,而快速热退火处理则能使样品I-V特性得以改善,并接近半绝缘GaAs(S.I.GaAs)上生长的Au-GaAs/S.I.GaAs样品的特性,它的来源不是热电子发射或产生-复合电流所引起,而可归结于缺陷参与的隧穿机制,它可通过快速热退火处理得以减小。DCTS谱表明在样品中可观察到Ec-0.41eV和Ec-0.57eV两个电子陷阱,前者可能是GaAs/Si界面附近处的缺陷态,后者则与分子束外延生长的GaAs中的固有缺陷M,有关。

• 出版日期1991
• 单位中国科学院半导体研究所