采用热压法制备Ge2Sb2Te5相变存储材料用靶材,研究了制备工艺对靶材微观结构与致密度的影响。结果表明:随保温时间的延长,靶材致密度升高。Ge2Sb2Te5靶材适宜的制备条件为570℃、10MPa、4h,在该条件下制备的靶材主相含量达到95%,致密度达到98%,可满足制备薄膜的要求。
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