本发明涉及一种具有可见光响应的石墨烯纳米带的制备方法。本发明的特征是,先采用真空还原法,在300℃下将氧化石墨烯还原成石墨烯,同时石墨烯骨架中的C=C键被破坏掉,再结合超声处理,从而得到长100～400nm,宽20～80nm的石墨烯纳米带。该纳米带暴露出较多的边缘,可以作为一种理想的载体,并表现出半导体的特性。在模拟太阳光的照射下,制备的石墨烯纳米带具有强的光生电子能力及电子传输能力。
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