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摘要
评述了各种生长兰宝石晶体的工艺技术,着重指出采用Czochralski技术生长兰宝石晶体过程中存在的坩埚中熔体对流效应对晶体质量的严重影响,提出了生长兰宝石晶体的导向温梯法。 采用导向温梯法生长兰宝石晶体所得结果表明,其位错密度、光学均匀性、应力和散射中心等品质均优于Verneuil和Czochralski技术生长的晶体。还讨论了选用该法生长大尺寸、高质量兰宝石单晶的优缺点。
- 出版日期1980
- 单位中国科学院上海光学精密机械研究所
评述了各种生长兰宝石晶体的工艺技术,着重指出采用Czochralski技术生长兰宝石晶体过程中存在的坩埚中熔体对流效应对晶体质量的严重影响,提出了生长兰宝石晶体的导向温梯法。 采用导向温梯法生长兰宝石晶体所得结果表明,其位错密度、光学均匀性、应力和散射中心等品质均优于Verneuil和Czochralski技术生长的晶体。还讨论了选用该法生长大尺寸、高质量兰宝石单晶的优缺点。
