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摘要
通过异质结界面分析与AMPS模拟计算研究了a-Si:H/c-Si异质结太阳电池在低温工作、a-Si:H层低掺杂、高价带补偿以及高界面态时光态J-V曲线出现S-Shape现象的物理过程,总结了S-Shape现象的物理原因.分析结果表明,当空穴输运受到界面势垒的限制时,空穴在c-Si界面附近聚集,能带重新分配,c-Si耗尽区的电场减小,更多的电子从c-Si准中性区反转至c-Si界面及耗尽区与空穴复合,复合速率显著增大,光电流的损失显著增大,光态J-V曲线反映为S-Shape现象.
- 出版日期2010
- 单位华南理工大学
