摘要
利用固源分子束外延设备生长出InAs/InAlAs/In P(001)纳米结构材料,探讨了As压调制的InAlAs超晶格对InAs纳米结构形貌的影响.结果表明,As压调制的InAlAs超晶格能控制InAs量子线的形成,导致高密度均匀分布的量子点的生长.结果有利于进一步理解量子点形貌控制机理.分析认为,InAs纳米结构的形貌主要由InAlAs层的各向异性应变分布和In吸附原子的各向异性扩散所决定.
- 出版日期2015
- 单位邯郸学院; 中国科学院电工研究所; 中国科学院半导体研究所
利用固源分子束外延设备生长出InAs/InAlAs/In P(001)纳米结构材料,探讨了As压调制的InAlAs超晶格对InAs纳米结构形貌的影响.结果表明,As压调制的InAlAs超晶格能控制InAs量子线的形成,导致高密度均匀分布的量子点的生长.结果有利于进一步理解量子点形貌控制机理.分析认为,InAs纳米结构的形貌主要由InAlAs层的各向异性应变分布和In吸附原子的各向异性扩散所决定.