4H-SiC MESFET新结构的特性研究

作者：彭沛; 陈勇

来源：微电子学, 2015, 45(03): 404-407.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.2015.03.029

• 4H-SiC
• 金属半导体场效应晶体管
• 击穿电压

提出了一种具有阶梯沟道和浮空金属板的新型4H-SiC MESFET结构。在双凹型4HSiC MESFET的栅漏之间加入浮空金属板,并引入阶梯沟道,减少了靠近漏端的栅边缘的电场积聚,提高了击穿电压。对提出的结构进行二维数值模拟,结果表明,该结构的击穿电压达到232V,相对于双凹型4H-SiC MESFET的击穿电压103 V,提高了125%,其饱和漏电流相对提高了4.1%,截止频率为15.1GHz,最大振荡频率为69.2GHz。该结构在击穿电压提高125%时,没有严重降低截止频率。

• 出版日期2015
• 单位电子科技大学