摘要

在高TcGdBaCuO超导薄膜上 ,采用光刻技术分别制成两种不同结构的辐射、热测量器件及 2× 4集成阵列式微桥器件红外 (光 )探测器 探测器芯片安装在STD 3型红外探测器杜瓦冷指上 用黑体及波长为 0 .632 8μm的He Ne激光器辐照器件 ,系统观测各种器件的特性 ,其中最好的结果 :在 1 0Hz时的噪音等效功率NEP( 5 0 0 ,1 0 ,1 ) =3.6× 1 0 - 1 2 WH1 /2z ;探测率D ( 5 0 0 ,1 0 ,1 ) =1 .6× 1 0 1 0 cmHz1 /2 W- 1 ;响应率Rv=8.2× 1 0 3VW- 1 另外 ,多元串接微桥器件...