Au/Sn共晶键合技术在MEMS封装中的应用

作者：胥超; 徐永青; 杨拥军; 杨志

来源：微纳电子技术, 2014, (02): 131-135.

DOI：10.13250/j.cnki.wndz.2014.02.012

• 圆片级键合
• 键合温度
• 前处理
• 应力
• 剪切强度
• 漏率 wafer bonding
• bonding temperature
• pretreatment
• stress
• shear strength
• leak rate

研究了Au/Sn共晶圆片键合技术在MEMS气密性封装中的应用。设计了共晶键合多层材料的结构和密封环图形,盖帽层采用Ti/Ni/Au/Sn/Au结构,器件层采用Ti/Ni/Au结构,盖帽层腔体尺寸为4.5 mm×4.5 mm×20μm,Au/Sn环的宽度为700μm,优化了键合工艺,对影响气密性的因素(如组分配比、键合前处理和键合温度等)进行了分析。两层硅片在氮气气氛中靠静态的压力实现紧密接触。在峰值温度为300℃、持续时间为2 min的条件下实现了良好的键合效果,其剪切力平均值达到16.663 kg,漏率小于2×10-3 Pa·cm3/s,满足检验标准(GJB548A)的要求,验证了Au/Sn...

• 出版日期2014
• 单位中国电子科技集团公司第十三研究所