等平面化SiC MESFET的研制

作者：杨霏; 陈昊; 潘宏菽; 默江辉; 商庆杰; 李亮; 闫锐; 冯震; 杨克武; 蔡树军; 姚素英

来源：微纳电子技术, 2008, (08): 440-443+483.

• 碳化硅(SiC)
• 金属消特基势垒场效应晶体管
• 高增益
• 功率附加效率
• 大功率
• 等平面化
• 侧壁钝化 SiC(silicon carbide)
• MESFET(metal-semiconductor field-effect transistor)
• high power gain
• PAE(power added-efficiency)
• high power
• nearly planarization
• sidewall passivation

在原有设计以及工艺的基础上,采用了器件表面等平面化处理及侧壁钝化工艺,器件工作电压大幅度提高,截止漏电流降低约两个数量级,跨导提高1.5mS/mm。2GHz下测试,微波功率附加效率提高10%左右,增益平均提高了2dB,在VDS=60V的条件下单管功率输出达到了86.5W。经过内匹配和功率合成研制成大功率的SiC脉冲功率管的综合性能较好,在250W的输出功率下,器件仍然保持高达10.5dB的高增益,功率附加效率30%。台阶仪和扫描电镜观测表明,台阶高度已经大大降低,侧壁得到了钝化,尖锐突起和凹坑都已经变得平缓。

• 出版日期2008
• 单位天津大学; 中国电子科技集团公司第十三研究所