摘要

对自行研制的低温晶体管于液氮温度下进行了低频噪声测量,结果表明:与室温相比1/f噪声显著增大.根据1/f噪声理论,并参照器件室温和低温下IB~VBE曲线的不同,认为在低温下EB结正向压降增大和载流子的冻折效应是使该器件1/f噪声等效输入电流功率谱密度变大的主要原因.

  • 出版日期1994
  • 单位中国电子科技集团公司第十一研究所