低温生长SiC薄膜衬底碳化研究

作者：赵武; 王雪文; 张志勇; 邓周虎; 戴琨

来源：电子元件与材料, 2004, 23(3): 34-36.

DOI：10.3969/j.issn.1001-2028.2004.03.012

• 碳化硅
• 薄膜
• 碳化

讨论了在用热丝化学汽相沉积(HFCVD)法沿Si(111)晶面异质生长SiC薄膜的过程中衬底碳化工艺对SiC成膜的影响.利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射谱(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和俄歇电子能谱(AES)等分析手段,对衬底碳化进行研究.并对典型工艺条件(钨丝温度2 000℃,衬底温度800℃,衬底碳化时间5 min)下制备的样品的碳化层进行分析,得出其厚度约为20 nm,由富C的3C-SiC层,3C-SiC层和含C的Si层组成.

• 出版日期2004
• 单位西北大学