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A monolithic InGaP/GaAs HBT PA for TD-SCDMA handset application
作者:Bi Xiaojun
*
; Zhang Haiying; Chen Liqiang; Huang Qinghua
来源:
Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors
, 2008, 29(10): 1868-1872.
ACPR
Active biases
Adjacent channels
Cellular phones
Handset applications
Hbt power amplifiers
High efficiencies
High power outputs
InGaP/GaAs HBT
Input matching
Interstage matching
Low costs
Operation modes
PAE
Qpsk modulations
Single chips
Small chip sizes
TD-SCDMA
Voltage supplies
出版日期
2008-10
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