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摘要
对BiCuSeO半导体陶瓷进行Ba/Pb双掺杂,通过机械球磨和放电等离子烧结制备Bi1-2xBaxPbxCuSeO(x=0,0.06)半导体陶瓷材料,系统研究Ba/Pb双掺杂和球磨时间对BiCuSeO材料显微结构、热电性能和硬度的影响。结果表明,用少量Ba/Pb部分替代BiCuSeO中的Bi,可显著提高材料的电导率和功率因子,而球磨能使晶粒尺寸减小到约350mm,从而降低材料的热导率,同时提高其电导率。球磨16h条件下制备的Bi0.88Ba0.06Pb0.06CuSeO陶瓷在873 K下具有最大功率因子,为0.76 mW/(m·K2),同时具有最大ZT值1.18,分别是未掺杂BiCuSeO陶瓷材料的2.71倍和2.19倍。
- 出版日期2019
- 单位武汉科技大学
