多层膜CIA预制层后硒化法制备Cu(In_(1-x)Al_x)Se_2薄膜的研究

作者：苏梦; 薛钰芝; 周丽梅; 武素梅

来源：真空, 2009, (06): 51-54.

• Cu(In1-xAlx)Se2薄膜
• 硒化
• Al/(In+Al)

本文用真空蒸发法在玻璃衬底上蒸镀Cu-In-Al多层膜,后采用真空硒化退火获得Al含量不同的Cu(In1-xAlx)Se2多晶薄膜。通过SEM和XRD微观形貌结构分析发现,薄膜中Al的含量对薄膜的表面形貌和结构有一定影响。Al/(In+Al)比例越大,越容易获得尺寸较小、分布比较均匀的晶粒。同时Al含量对薄膜的方阻有一定的影响,Al含量越高,方阻越大。而且Al含量的多少可以调节薄膜的禁带宽度的大小。

• 出版日期2009-11-25
• 单位大连交通大学