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摘要
电子的隧穿时间是描述量子器件动态工作范围的重要指标.本文考虑k3Dresselhaus自旋轨道耦合效应对系统哈密顿量的修正,结合转移矩阵方法和龙格-库塔法来解含时薛定谔方程,进而讨论了电子在非磁半导体对称双势垒结构中的透射系数及隧穿寿命等问题.研究结果发现:由于k3Dresselhaus自旋轨道耦合效应使自旋简并消除,并在时间域内得到了表达,导致自旋向上和自旋向下电子的透射峰发生了自旋劈裂;不同自旋取向的电子构建时间和隧穿寿命不同,这是导致自旋极化的原因之一;电子的自旋极化在时间上趋于稳定.
- 出版日期2013
- 单位内蒙古大学
