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摘要
本发明公开了一种基于P-GaN帽层和浮空金属环复合结构的AlGaN/GaN异质结肖特基二极管器件,包括衬底、依次设置在衬底上的GaN缓冲层和沟道层、AlGaN势垒层和钝化层,其中,AlGaN势垒层上表面的相对两侧分别设置有阳极和阴极,阳极与阴极之间的AlGaN势垒层上设置有至少一个组合结构,组合结构包括第一P型GaN帽层、第二P型GaN帽层和浮空金属环；第一P型GaN帽层和第二P型GaN帽层间隔设置在AlGaN势垒层上,浮空金属环覆盖在第一P型GaN帽层和第二P型GaN帽层的上表面以及第一P型GaN帽层和第二P型GaN帽层之间的AlGaN势垒层上。该器件采用P-GaN帽层与浮空金属环结合的结构,抑制电场集中效应,减弱了峰值电场,使得电场横向分布更加均匀,从而反向提高击穿电压。
- 出版日期2019-6-5
- 单位西安电子科技大学
