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摘要
以氮化铝(AlN)、钨(W)为原料,在1700℃,50MPa压力下用放电等离子烧结技术制备了AlN-W复合陶瓷。通过X射线衍射、扫描电镜、介电频谱分析,研究了导电相W含量对复合陶瓷致密性、导电性能及介电性能的影响。结果表明:通过合适的工艺获得了致密度大于99%的复合陶瓷。W体积分数(下同)从20%增加到22%时,复合陶瓷产生渗流现象,电阻率(ρ)从4.89×1010Ω·cm迅速降低到15.5Ω·cm。频率在1kHz～1MHz范围内,随着W含量的增加,复合陶瓷的相对介电常数(εr)、介电损耗(tgδ)逐渐增加。在1MHz,当W含量为渗流阈值20%时,复合陶瓷的εr=33,tgδ=0.41。改变导...
- 出版日期2008
- 单位北京有色金属研究总院
