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Design of 700 v triple RESURF nLDMOS with low on-resistance
作者:Yin Shan
*
; Qiao Ming; Zhang Yongman; Zhang Bo
来源:
Chinese Journal of Semiconductors
, 2011, 32(11).
DOI:10.1088/1674-4926/32/11/114002
Charge sharing
Double RESURF
Drift regions
Guiding principles
nLDMOS
On-resistance
P-type
Process tolerance
Specific-on-resistance
triple RESURF
出版日期
2011-11
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