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摘要
研究了硅膜掺杂浓度、厚度和硅化物厚度等工艺条件对 SOI MOSFET寄生双极晶体管增益的影响。提高体区掺杂浓度、增加硅膜和硅化物厚度能够减小增益。原因是 :1基区杂质浓度增加 ,减弱了发射极向基区注入多子 ,增强了基区向发射区的少子注入 ;2增加硅化物厚度会增加其横向扩展 ,减小发射极的注入效率
- 出版日期2004
- 单位中国科学院微电子研究所
研究了硅膜掺杂浓度、厚度和硅化物厚度等工艺条件对 SOI MOSFET寄生双极晶体管增益的影响。提高体区掺杂浓度、增加硅膜和硅化物厚度能够减小增益。原因是 :1基区杂质浓度增加 ,减弱了发射极向基区注入多子 ,增强了基区向发射区的少子注入 ;2增加硅化物厚度会增加其横向扩展 ,减小发射极的注入效率
