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摘要
本发明公开了一种高耐压碳化硅UMOSFET器件及其制备方法。所述碳化硅UMOSFET器件包括漏电极、N型掺杂衬底层、两个P型离子注入区、N型外延区、N型电流扩展区和P型基区,其中,P型基区上设置有P型源区和N型源区,N型外延区设置有沟槽结构,所述沟槽结构的底部延伸至所述N型漂移区的内部,沟槽结构的两个底边分别与两个P型注入区接触,增强了栅极氧化层的可靠性,降低了沟槽底部和侧面氧化层的电场强度,提高了器件的击穿电压。同时浮空式P型埋层反向阻断时形成耗尽区,减少了栅漏接触面积,降低了栅漏电容,提升开关速率。
- 出版日期2023-4-21
- 单位华南理工大学
