累积剂量影响静态随机存储器单粒子效应敏感性研究

作者：肖尧; 郭红霞; 张凤祁; 赵雯; 王燕萍; 丁李利; 范雪; 罗尹虹; 张科营

来源：Acta Physica Sinica, 2013, (01): 387-392.

• 累积剂量
• 单粒子效应
• 静态随机存储器
• 反印记效应 total dose
• single event upset
• SRAM
• con-imprint efect

本文利用60Coγ源和兰州重离子加速器,开展不同累积剂量下,静态随机存储器(static random access memory,SRAM)单粒子效应敏感性研究,获取不同累积剂量下SRAM器件单粒子效应敏感性的变化趋势,分析其辐照损伤机理.研究表明,随着累积剂量的增加,SRAM器件漏电流增大,影响存储单元低电平保持电压、高电平下降时间等参数,导致"反印记效应".研究结果为空间辐射环境中宇航器件的可靠性分析提供技术支持.

• 出版日期2013-11-21
• 单位中国科学院新疆理化技术研究所; 西北核技术研究所