新型缓冲层分区电场调制横向双扩散超结功率器件

作者：段宝兴; 曹震; 袁嵩; 袁小宁; 杨银堂

来源：Acta Physica Sinica, 2014, (24): 299-304.

• 横向双扩散金属氧化物半导体器件
• 超结
• 击穿电压
• 比导通电阻 lateral double-diffused MOSFET
• super junction
• breakdown voltage
• specific on resistance

为了突破传统横向双扩散金属-氧化物-半导体器件(lateral double-diffused MOSFET)击穿电压与比导通电阻的极限关系,本文在缓冲层横向双扩散超结功率器件(super junction LDMOS-SJ LDMOS)结构基础上,提出了具有缓冲层分区新型SJ-LDMOS结构.新结构利用电场调制效应将分区缓冲层产生的电场峰引入超结(super junction)表面而优化了SJ-LDMOS的表面电场分布,缓解了横向LDMOS器件由于受纵向电场影响使横向电场分布不均匀、横向单位耐压量低的问题.利用仿真分析软件ISE分析表明,优化条件下,当缓冲层分区为3时,提出的缓冲层分区SJ-...

• 出版日期2014
• 单位西安电子科技大学