AlGaAs/GaAsHBT的设计与研制

作者：胡海蓉; 牛萍娟; 胡海洋; 郭维廉

来源：河北工业大学学报, 2005, (06): 87-90.

• AlGaAs/GaAs
• 异质结双极晶体管
• 工艺 AlGaAs/GaAs
• Heterojunction Bipolar Transistor (HBT)
• process

分析了AlGaAs/GaAsHBT的原理和材料结构,详细介绍了AlGaAs/GaAsHBT的器件结构及工艺流程,并对两方面进行了优化,研制出了特性较好的AlGaAs/GaAsHBT,其电流放大系数达到180,是目前国内报道的最高水平;开启电压小于0.3V.

• 出版日期2005
• 单位天津工业大学; 中国科学院半导体研究所